Процесс возникновения зародышей кристаллов рассматривается как диффузионный, поскольку для него необходима подвижность атомов в исходной и возникающей фазах. зарождение центров кристаллизации определяется скоростью образования самого зародыша и интенсивностью обмена молекулами переохлажденного раствора и зародыша.

Основное условие для зародышеобразования кристаллов — пересыщение раствора. Чем оно выше, тем более мелкие кристаллы формируются в нем. Скорость образования зародышей, зависящая от величины пересыщения, может быть аппроксимирована степенной функцией

Наряду с пересыщением на скорость кристаллизации и прежде всего на вероятность и скорость образования зародышей кристаллов положительно воздействуют перемешивание, ультразвук, магнитное поле. Эффективность перемешивания оценивают по кратности перемешивания, показывающей число перемещений единиы объема вещества в единицу времени. Характеристику перемешивания можно представить как

На скорость зародышеобразования влияет сила поверхностного натяжения на границе кристалл — раствор, которая зависит от многих факторов и описывается системой дифференциальных уравнений.

В процессе кристаллизации весьма существенно значение затравки как начальной базисной поверхности кристаллизации в условиях гетерогенного механизма образования зародышей. Появление спонтанного формирования зародышей в сложных растворах кристаллизующегося вещества, связанное с большими затратами энергии, возможно лишь при больших коэффициентах пересыщения.

Изучение второго периода кристаллизации основано на молекулярно-кинетической теории, согласно которой рост кристалла рассматривается как ряд элементарных актов присоединения к поверхности растущей грани молекулярных комплексов, образующихся в массе исходной фазы. В то же время происходит массопередача к поверхности пограничного слоя, диффузия частиц вдоль поверхности кристалла и включение их в поверхностную решетку, отвод тепла кристаллизации и освободившейся гидратационной воды от поверхности кристалла.